SK海力士推出专为人工智能定制的下一代 NAND 存储产品
SK 海力士在近期的全球活动中，展示了其面向人工智能(AI)产业的下一代 NAND 存储产品战略。SK 海力士宣布，将推出一系列针对 AI 优化的 NAND 存储产品，以满足日益增长的市场需求。
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深耕AI产业！SK海力士公布下一代NAND存储产品策略
韩国芯片制造商SK海力士周一（10月27日）表示，该公司在“2025 OCP全球峰会”中展示了针对人工智能行业定制的下一代NAND存储产品的策略。
SK海力士：展示AI定制NAND存储产品战略
周一，SK海力士透露，将在本月全球活动中展示针对人工智能产业定制的下一代NAND存储产品战略。 10月13日至16日，其在美国加州“2025开放计算项目全球峰会”公布愿景，介绍新AI优化NAND产品系列。 该公司称，随人工智能推断市场快速增长，对快速处理大量数
存储大厂SK海力士展示下一代NAND闪存产品战略
·亮相针对性能（P）、带宽（B）、容量（D）分别优化的“AIN Family”存储产品系列，全面赋能AI场景·举办“HBF之夜”活动，拓展SK海力士HBF产品‘AIN B’生态系统，数十位科技巨头代表出席·“将通过继续与客户及各类合作伙伴携手合作，致力成为面向
A股存储新贵：香农芯创背靠SK海力士，发力企业级SSD市场
不过，即使三星电子、SK海力士等存储原厂Q4跳涨出货价格，存储模组厂商也不一定能拿到的存储晶圆，存储晶圆已经到了“有价无市”的地步，在原厂控货拉涨的行情下，价高者也不一定能拿到货。
储存芯片涨价！部分储存芯片厂商已暂停报价或一天一个价 最新名单
目前部分原厂的部分Dram和Flash产品已经处于暂停报价状态，“就算报价，价格有效期也很短，一天一个价。”针对这种情况，国内产业链亦受到不小影响。江波龙证券部人士在接受采访时称，公司有存货，上游涨价对公司毛利率促进作用；普冉股份证券部人士表示，最近四季度开始
事关A股，6个重磅消息来袭！
内容概括与分析：国资委组织军工、应急等行业央企，提前谋划“十五五”（2026-2030年）发展规划。会议基调积极进取，强调要服务于现代化产业体系建设，优化国有资本布局，增强央企的核心竞争力。
【简讯】三星和SK海力士将DRAM价格上调30%；iQOO Neo11四色公布…
三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。
三星和SK海力士将内存价格上调30%
AI驱动的内存半导体超级周期预计会比过去的繁荣时期更加持久和强劲，由于对人工智能服务器的大量投资、通用服务器内存的替换，以及对设备上人工智能需求的增加，供应短缺的情况可能会持续3到4年。
三星和SK海力士已将第四季度存储器价格上调：包括DRAM和NAND，最高达30%
过去几个月里，不少存储器厂商都传出了涨价的消息，包括DRAM和NAND闪存产品，甚至连西部数据的机械硬盘都宣布涨价，而且还延长了产品的交货时间。不过到了这个月，涨价速度明显变得更快，幅度也变得更大，相信不少消费者已经感受到汹涌的涨势。
存储超级周期引爆！三星SK海力士涨价30%国产20家企业分千亿红利
AI算力需求爆发催生存储芯片“超级周期”，行业供需缺口持续扩大！三星电子、SK海力士等龙头四季度再掀涨价潮，DRAM与NAND产品提价幅度最高达30%，客户纷纷签订长期供应协议锁定产能，赛道景气度持续飙升。
消息称三星、SK海力士25Q4的DRAM、NAND闪存价格将上调最多30%
业内人士透露，三星、SK 海力士等主要供应链已通知客户，将在 2025 年第四季度把 DRAM 和 NAND 闪存的价格上调最多 30%。
存储芯片“超级周期”持续演绎：三星、SK海力士料将涨价30% 客户开启囤货模式
三星电子、SK海力士等主要内存供应商，将在今年第四季度继续向客户调整报价。幅度上，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。
堪比黄金 内存又涨了！三星和SK海力士将DRAM价格上调30%
三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升第6代HBM的盈利能力。
“超级周期”持续演绎 三星和SK海力士将内存价格上调30%
据科创板日报援引韩国经济日报，人工智能驱动的存储“超级周期”或将比以往的繁荣时期持续时间更长、强度更大。三星电子、SK海力士等主要内存供应商将在今年第四季度向客户调整报价，DRAM和NAND闪存价格上调幅度将高达30%，以满足AI驱动的存储芯片需求激增，并提升
SK海力士第二代A-Die DDR5芯片曝光：原生频率可达7200MT/s！
根据unikoshardware的说法，芯片上的“X021”标记表明它是第二代3Gb A-Die芯片，将取代目前用于早期DDR5内存模组的3Gb M-Die。
SK海力士第二代3Gb DDR5“A-Die”颗粒现身，或原生支持7200MT/s速率
虽然目前大家都将DRAM市场的注意力放在HBM领域，但是已经进入成熟阶段的DDR5仍然是推动高端DRAM发展的关键战场。据TrendForce报道，新一代SK海力士DDR5已经浮出水面，十铨科技即将发布的其中一款内存产品里的颗粒带有“X021”标记和“AKBD
SK 海力士二代 DDR5 A-Die 颗粒现身，原生速度直指 7200 MT/s
科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 21 日）发布博文，报道称在 SK 海力士第二代 3Gb DDR5 内存芯片曝光，推测其原生 JEDEC 速度可能高达 7200 MT/s。
SK海力士第二代A-Die DDR5曝光
目前SK海力士尚未正式公布这款第二代3Gb DDR5 A-Die，但根据过去命名惯例，过去像是EB、GB、HB等代码分别对应4800、5600与6400 MT/s的JEDEC标准频率。
别只盯着光模块！HBM才是AI真核心，国内这几家公司已抢占先机
光模块的作用，说白了就是AI的数据"快递员"，负责把数据从服务器传到芯片里。但你想啊，就算快递员跑得再快，要是芯片门口的"卸货通道"太窄，一堆数据堵在门口进不去，芯片再强也只能干等着。这就像你家小区门口就一条单车道，就算来了十辆快递车，也只能一辆辆慢慢卸，效率